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Boîtier
Courant - Moyen Redressé (Io)
Distance de Détection
Méthode de Détection
Température
Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max)
Type de Sortie
Type de montage
Emballage
Fabricant
Type de Sortie Méthode de Détection Distance de Détection Courant - Moyen Redressé (Io) Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Type de montage Température Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN Phototransistor Réflecteur 0.050" (1.27mm) 50mA 30V À Trou Traversant -40°C à +85°C Radial , 4 Broches En Vrac Fairchild / On Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir