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Boîtier
Courant - Collecteur (Ic) Max
Fréquence - Transition
Puissance Max.
Température
Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max)
Type de Transistor
Type de montage
Emballage
Fabricant
| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NPN | 800mA | 40V | 500mWatt | 300MHz | -65°C à +200°C | À Trou Traversant | TO-18 | En Vrac | Mei Semiconductor | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PNP | 600mA | 60V | 400mWatt | 200MHz | -65°C à +200°C | À Trou Traversant | TO-18 | En Vrac | Mei Semiconductor | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NPN | 1A | 40V | 350mWatt | 300MHz | -55°C à +150°C | Montage en Surface | SOT-23 | 13" Bande et Bobine | Fairchild Semiconductor | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NPN | 600mA | 40V | 225mWatt | 300MHz | -55°C à +150°C | Montage en Surface | SOT-23 | Bande et Bobine | Mei Semiconductor | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NPN | 600mA | 40V | 225mWatt | 300MHz | -55°C à +150°C | Montage en Surface | SOT-23 | Bande et Bobine | ON Semiconductor | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PNP | 600mA | 60V | 225mWatt | 200MHz | -55°C à +150°C | Montage en Surface | SOT-23 | Bande et Bobine | Mei Semiconductor | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NPN | 600mA | 40V | 200mWatt | 250MHz | -55°C à +150°C | Montage en Surface | SOT-363 | Bande et Bobine | Mei Semiconductor | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PNP | 600mA | 40V | 200mWatt | 200MHz | -55°C à +150°C | Montage en Surface | SOT-363 | Bande et Bobine | Mei Semiconductor | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NPN | 500mA | 80V | 625mWatt | 100MHz | -55°C à +150°C | À Trou Traversant | TO-92 | En Vrac | Mei Semiconductor | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NPN | 600mA | 40V | 250mWatt | 300MHz | -55°C à +150°C | Montage en Surface | SOT-23 | Bande et Bobine | NXP USA INC. | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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| Type de Transistor | Courant - Collecteur (Ic) Max | Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) | Puissance Max. | Fréquence - Transition | Température | Type de montage | Boîtier | Emballage | Fabricant | Spécifications | Alternatifs | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PNP | 600mA | 60V | 250mWatt | 200MHz | -55°C à +150°C | Montage en Surface | SOT-23 | Bande et Bobine | NXP USA INC. | Fiche Technique | Cliquez pour Voir | |
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