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Boîtier
Configuration
Courant - Drain Continu (Id)
Puissance Max.
Technologies
Température
Tension Drain-Source (Vdss)
Tyoe de FET
Type de montage
Emballage
Fabricant
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 200mA 625mWatt -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92 (Sac) En Vrac Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 115mA 225mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 115mA 380mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-363 (SC-88) Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V Canal N MOSFET (Metal Oxide) 300mA (Ta) 500mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 115mA 200mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-323 , SC-70 Bande et Bobine Diodes Inc. Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
100V Canal N MOSFET (Metal Oxide) 1A (Ta) 1.4 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Alpha & Omega Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
100V Canal N MOSFET (Metal Oxide) 1A (Ta) 1.56 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V 2 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface 8-SOIC Bande et Bobine Alpha & Omega Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 265mA 310mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine NXP Semiconductors Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
50V 200mA 225mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
50V 200mA 300mWatt -50°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Diodes Inc. Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Configuration Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
20V Niveau logique Gate MOSFET (Metal Oxide) Canaux N et P 870mA, 640mA 530mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-563 Bande et Bobine Diodes Inc. Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V 400mA 280mW -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-353 Bande et Bobine Diodes Inc. Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V Canal N MOSFET (Metal Oxide) 1.6A (Ta) 700mWatt -55°C à +105°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Diodes Inc. Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
20V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) 3.8A (Ta) 800mW (Ta) -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Diodes Inc. Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) 3.75 Watt -55°C à +175°C Montage en Surface DPAK (TO-252-3) Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
200V Canal N MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) 43 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface TO-252-3 Bande et Bobine onsemi Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V 2.2A 500mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SuperSOT-3 Bande et Bobine onsemi-Fairchild Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 1.25A 460mW -55°C à +150°C Montage en Surface SSOT-3 Bande et Bobine Fairchild / On Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 10A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface 8-SOIC Bande Coupée Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V 11A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface 8-SOIC Bande et Bobine onsemi Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
25V Canal N MOSFET (Metal Oxide) 220mA 350mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine onsemi Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
25V 680mA 350mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine onsemi-Fairchild Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
200V 18A 125 Watt -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-220-3 Tube Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
400V Canal N MOSFET (Metal Oxide) 10A 125 Watt -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-220AB Tube Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir