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Alimentation en Tension
Boîtier
Courant - Collecteur (Ic) Max
Courant - Sortie / Canal
Fréquence - Transition
Puissance Max
Puissance Max.
Température
Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max)
Type de Transistor
Type de montage
Emballage
Fabricant
Type de Transistor Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 40V 600mWatt 250MHz -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92 Bande et Boîte MCC (Micro Commercial Components) Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
PNP 100mA 50V 625mWatt 40MHz -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92 Bande et Bobine Fairchild / On Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 100mA 30V 625mWatt 50MHz -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92-3 (Sac) En Vrac Fairchild / On Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 500mA 45V 300mWatt 100MHz -65°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine onsemi Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 12V 175mW 8GHz 150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN - Darlington 500mA 80V 300mWatt 125MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Diodes Inc. Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
PNP 800mA 60V 625mWatt 200MHz -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92 Bande et Boîte onsemi-Fairchild Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 500mA 300V 1.5 Watt 50MHz -65°C à +150°C Montage en Surface SOT-223 Bande et Bobine onsemi Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
PNP 500mA 80V 1 Watt 50MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-223 Bande et Bobine onsemi Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
PNP 500mA 300V 1.5 Watt 50MHz -65°C à +150°C Montage en Surface SOT-223 Bande et Bobine onsemi Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
7 NPN Darlington 500mA 50V -20°C to +70°C À Trou Traversant 16-DIP Tube Texas Instruments Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
4 NPN Darlington 1.75AMP 50V 1 Watt -20°C to +85°C À Trou Traversant 16-PowerDIP Tube STMicroelectronics Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
8 NPN Darlington 500mA 50V -20°C to +150°C À Trou Traversant 18-DIP Tube STMicroelectronics Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
8 NPN Darlington 500mA 50V -40°C à +85°C Montage en Surface 18-SOIC Bande et Bobine Texas Instruments Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
8 NPN Darlington 500mA 50V -40°C à +85°C Montage en Surface 18-SOIC Bande et Bobine Texas Instruments Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Sortie / Canal Alimentation en Tension Puissance Max Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
8 NPN Darlington 500mA 50V 1.47Watt À Trou Traversant 18-DIP Tube Toshiba Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
7 NPN Darlington 500mA 50V -40°C à +105°C Montage en Surface 16-SOIC (0.154",3.90mm Width) Bande et Bobine STMicroelectronics Fiche Technique Cliquez pour Voir